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在电光调制中,基于普克尔效应制作的普克尔盒是常用的电光调制常用器件。

通过对电光晶体施加电场控制,从而改变电光晶体一定方向的折射率,使得电光调制器普克尔盒可以作为一个可变半波片工作,从而实现偏振态改变。当该电光调制器普克尔盒置于两片垂直偏振片之间时,就可以实现光强调制。电光效应可分为横向电光效应和纵向电光效应,横向电光效应中光的传播方向与电场垂直,纵向电光效应中光的传播方向与电场平行。

纵向电光效应的半波电压与晶体尺寸无关,较难实现高频电光调制。BBO普克尔盒的工作原理基于横向电光效应,其电压公式为:

因此要降低半波电压就能通过改变BBO晶体尺寸的方式完成。Crylink提供不同通光孔径和长度的BBO普克尔盒,适应不同的使用环境。由于其具有低振铃效应和高损伤阈值的特点,BBO普克尔盒使用频率最大可达1MHz。

南京光宝的普克尔盒采用镀有高品质AR膜的保护性窗片,在保证高透过率的同时延长器件的使用寿命。

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询价

参数

BBO单晶体开关
产品型号通光孔径晶体尺寸外壳尺寸λ/4电压
(@ 1064 nm), kV DC
电容, pF
CLBBO-S02525-20352.2mm2.5×2.5×25 mm3Dia. 20x35mm2.4kV2.2pF
CLBBO-S02525-151728-S15×17.5x28mm
方型外壳
CLBBO-S0320-20352.7mm3x3x20 mm3Dia.20x35mm3.6kV3pF
CLBBO-S0325-20353x3x25 mm32.9kV
CLBBO-S0420-20353.7mm4x4x20 mm34.8kV4pF
CLBBO-S0425-20354x4x25 mm33.9kV

透过率:>99%;使用波长:1030nm-1064nm;抗光伤,10ns 10Hz 1064nm:600MW/cm2 ;消光比:1000:1

BBO双晶体开关
产品型号通光孔径晶体尺寸外壳尺寸λ/4电压
(@ 1064 nm), kV DC
电容, pF
CLBBO-D0320-25552.7mm3x3x20 mm3Dia.20x55mm1.8kV6pF
CLBBO-D0420-25553.7mm4x4x20 mm3Dia.20x55mm2.4kV7pF

透过率:>99%;使用波长:1030nm-1064nm;抗光伤,10ns 10Hz 1064nm:600MW/cm2 ;消光比:500:1

普克尔盒规格
光圈待定
光传输>98%
伤害阈值500MW/cm2@10ns 1064nm
波前失真<λ/8 @1064nm
典型电容<3pF
外形尺寸φ25.4×44mm
四分之一波电压3.4kv
BBO物理特性
晶体结构三角形,空间群R3c,点群3m
晶胞参数a=b=12.532Å,c=12.717Å,Z=6
熔点1095±5℃
相变点925±5℃
光学均匀性δn~10-6cm
莫氏硬度4
密度3.85g/cm3
吸湿性低
热膨胀系数a:4×10-6K,c:36×10-6K
导热系数⊥C:1.2W/m/k , ∥C:1.6W/m/K
吸收系数<0.1%/cm @1064nm
BBO光学特性
透明度范围189-3500nm
折射率1064nm no=1.6545,ne=1.5392
800nm no=1.6606,ne=1.5444
532nm no=1.6742,ne=1.5547
400nm no=1.6930,ne=1.5679
热光系数dno/dT=-9.3×10-6/℃
dne/dT=-16.6×10-6/℃
电光系数γ11=2.7pm/V,γ22,γ31<0.1γ11
半波电压48KV @1064nm
NLO系数d11=5.8×d36(KDP)
d31=0.05×d11
d22<0.05×d11
相位匹配SH波长189-3500nm
特点
应用
特点
  • 低振铃效应
  • 低插入损耗
  • 尺寸小巧紧凑
  • 多波长选择
  • 损伤阈值高
应用
  • 高重频固态激光器Q开关
  • 脉冲选择
  • 再生放大
  • 腔倒空
  • 高频光开关
  • 斩波器
  • 光功率稳定器

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